【芯路pdf下载】离子注入完成后通党需

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本文节选自《芯路》

离子注入完成后，通党需要进行退火。退火是指将品圆放在氮气等不
活泼气体氛围中进行热处理，使不在晶格位置上的离子运动到晶格位
置上，一方面可以激活杂质，使其具有电活性，另一方面也可以消除
离子注人市来的品格损伤。薄膜沉积也是芯片生产过程中重要的工艺
步骤，通稼分为化学气相诈积 (Chemical Vapor Deposition，CVD) 和
物理气相逛积 (Physical Vapor Deposition，PVD ) 。CVD 是指通过气
态物质的化学反应，在衬确上诞积一层溥膜材料的过程。它几乎可以
汪积集成电路工艺中所需要的各种薄膜，例如二氧化硅、多品硅、章
品硅、氮化硅、金属〈钨、钼) 等，适用范围广、人台阶覆盖性好。
PVD 主要包括蒸发和溅射，通和常用于演积芯片中的电极和金属互
联搬。
将前述工艺重复耕干次，就可以在品圆上加工出设计好的必片。
通首在进行每一道主要工艺步骤之前都需要重新进行一次光刻，因
此，也常用掩膜版的数量来衡量工艺的复杂度，现在加工出一颗 CPU
心片，往往需要上上特套掩膜版，数千个加工步又。

品圆加工过程

此时，品圆上已经有成千上万颗芯片了，但是由于工艺步又多，

是芯 ”一书读懂集成电路产业的现在与未来

精细程度要求高，品圆上不可避免地会存在甫外必片。为了节省封装
费用，需要先通过 CP ( Circuit Probing) 测试把电学性能不符合要求
的必片挑选出来。之后将品圆切片，就得到电学性能良好的单芯片
(die) 。把单必片贴到相应的封装基板上，用超细金属丝连接单艺
上的接合焊盘〈Bond Pad) 和基板上的引脚 (Lead) ，再注人塑封材
料进行保护，承完成了必片的封装。通过最终测试 (Final Test) 后，
必片束可以走癌千家万户了。

测试 划卢 单世片/die 封装 成品

芯片封装测试过程
3.2 ”产业链全景

半导体产业链之深、之复杂，远胜于传统产业，而且产业链不同
环节之间紧密程度，远远高于其他高科技行业。

上游云撑行业 中游制造行业 ”下游应用行业

消费电子

一一。40

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