芯片战争米勒(芯片战争豆瓣)

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本文节选自《芯片战争米勒》电子版：

蜡履盖一部分猪制成的;使用化学物质名除|蕴后，钳上惑形成了台面形状。台面结构的一个缺点是，区全或其他颗粒等杂质容易附在裸露的台面侧壁上并与之发生反应。详伊斯的同事简。霍尔尼后位瑞士物理学家，也是一位狂热的登山者，他识到如果整个唱体管内置在锚中而不是在其上，人台面就没有必要存在了。他发明了一种制造晶体管的方法:在一块硅片上沉积一层保护性二氧化硅，然后在需要的地方蚀刻孔并沉积额外的材料。沉积保护ee会导致缺陷的空气和杂质中，这和古可靠性方面的一大进步。《1959年:实用单片集成电路概念获得专利》〈1959:PracticalMonolithicIntegfratedCifcuitConceptPatented)，美国计算机历史博物馆，https://www.computerhistory.orfg/siliconengine/practical-monolithic-integrated-circuit-concept-patented/。克里斯托夫。勒库尔〈ChristopheLecuyer)和大卫。布罗克，《微

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忌卢制造商》(MakersoftheMicrochip)，麻省理工学院出版社，2010年。罗伯特。话伊斯，“半导体器件和引线结构”(SemiconductorDevice-and-LeadStfucture)，美国2981877号专利，1959年7月30日提交，1961年4月25日发布，https:/[patentimages.Storage.googleapis.com/el/73/1le/7404cd5a和pdf。迈克尔。赖尔登(MichaelRiordan)，《二氧化硅解决方案》(TheSiliconDioxideSolution)，《IEEE综览》〈IEEEFSo，2007年12月1日，https://spectrumieee.org/the-silicon-dioxide-solution。且斯利。柏林，《微已片背后的人》，第53-81页。几个月后，诡伊斯意识到霍尔尼的“平面工艺”可以用于在同一块硅生得允个是诺伊斯并不知道基尔比，那时，基尔比在一块销基上请上制作台面晶体管并使用了键合线连接。话伊斯在同

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一硅搬上使用霍尔尼的平工艺制作出了多个晶体管。由于平面工艺在唱体管上获盖了一层二氧化硅绝缘层，话伊斯可以通过在上面沉积金属线，将“导线”直接放在硅片上实现晶体管之间的连接。和基尔比一样，诺伊斯制造了一种集成电路:在一块半导体材料上放置多个电子元器件。但诡伊斯的版本完全没有键合线，品体管和导线被制造在同刻邱未被蜡覆盖的部分，去YN一块材料上面。不久，基尔比和详伊斯基于半导体材料开发的“集成电路”被简称为“半导体”，或者被更简单地称为“芯片”。莱斯利。相林，《微芯片背后的人》，第112页。诡伊斯、摩尔和他们在仙童的同事知道，他们的集成电路将比其他电子设备所依赖的错综复杂的电线更加可靠。与台面品体管相比，将仙童的“平面”设计小型化似乎要容易得多。与此同时，更小的晶体管意消耗更少的电力。诡伊斯和摩尔开始意识到小型化和低功耗是一个强大的组合:更小的晶体管和更低的功耗将为他们的集成电路创造新的应用。但刚开始，详伊斯的集成电路的制造成本是用分立件搭建的50倍。每个人都认为诡伊斯的发明很聪明，甚至绝妙，但它需要一个市场。

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